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[发明专利]沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法-CN201811573784.1有效
发明人：杨渝书;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法，在同一反应腔内，先在半导体衬底中形成第一沟槽，然后多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺，以垂直向下加深第一沟槽的深度，且第一反应离子刻蚀工艺的第一沉积步骤中采用以生成聚合物为主的刻蚀气体，第一反应离子刻蚀工艺的第一刻蚀步骤采用以衬底的非等向性刻蚀为主的刻蚀气体；接下来多次循环执行第二反应离子刻蚀工艺，第二反应离子刻蚀工艺包括依次被执行的第二沉积步骤和第二刻蚀步骤，第二刻蚀步骤中的刻蚀气体改成以衬底的等向性刻蚀为主的刻蚀气体
沟槽制造方法隔离结构

[发明专利]一种反应离子刻蚀掩膜-CN202210294399.3有效
发明人：罗倩;高国涵;邵俊铭;吴湘;范斌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应离子刻蚀掩膜。传统的反应离子刻蚀掩膜制作是在不需要刻蚀的区域涂上掩膜层，需要刻蚀的区域不做任何处理，这样，刻蚀之后就会有边缘效应，出现掩膜边界出现台阶的问题。在反应离子刻蚀修型的工艺中，检测的波像差是连续面型，而不是离散的，本发明刻蚀采用的掩膜最好是渐变的小孔分布，而不是非零即一的状态，这样刻蚀后的波前也不会出现台阶的情况。本发明公开的一种反应离子刻蚀掩膜，不同于传统的反应离子刻蚀掩膜，解决了传统的反应离子刻蚀掩膜分界线上出现台阶的问题。
一种反应离子刻蚀

[发明专利]一种二维黑砷纳米片的制备方法-CN202310419160.9在审
发明人：陈亚彬;余云飞;杜国帅 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维黑砷纳米片的制备方法，通过机械剥离法在硬质基底上制备黑砷纳米片；将带有黑砷纳米片的硬质基底放置在反应离子刻蚀机的反应舱室内反应；刻蚀结束后，从反应离子刻蚀机的反应舱室中取出样品。本发明中的反应离子刻蚀机的反应舱室内可同时容纳多个长、宽为5cm的硬质基底，实现批量处理。该方法使用常规的反应离子刻蚀设备对材料进行刻蚀，在刻蚀气体氛围下，使其与刻蚀气体发生反应，达到反应离子刻蚀的目的。当上层样品被反应后，下层样品也开始发生反应，从而实现了对样品的减薄。通过控制反应离子刻蚀的起辉功率和时间，可以简单、快速、均匀、有效的实现大面积二维黑砷纳米片的厚度可控制备，且可以同时处理多个样品。
一种二维纳米制备方法

[发明专利]一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统-CN200810223342.4有效
发明人：刘训春;王佳;周宗义;李兵;王建海;黄清华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。
一种消除反应离子刻蚀偏压方法系统

[发明专利]一种反应离子刻蚀制备太阳电池硅片绒面的方法以及用该方法制造的太阳电池-CN200810187366.9无效
发明人：朱永生;张光春;施正荣;汪义川 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种反应离子刻蚀制备太阳电池硅片绒面的方法以及用该法制造的太阳电池。具体而言，涉及通过包含至少两种含卤素的气体和氧化性气体的反应离子刻蚀气体在反应离子刻蚀腔中进行反应离子刻蚀的方法以及用该法制造的太阳电池。用该法制备的硅片绒面均一、反射率低。
一种反应离子刻蚀制备太阳电池硅片方法以及制造

[发明专利]一种在有机材料表面制备抗反射微纳结构的方法-CN201910504740.1在审
发明人：叶鑫;胡锡亨;邵婷;李青芝;唐烽;石兆华;夏汉定;孙来喜 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明对有机材料进行反应离子刻蚀，形成抗反射微纳结构；其中，反应离子刻蚀所用刻蚀气体为氧气和惰性气体，氧气的流量为1～50SCCM，惰性气体的流量为1～100SCCM，且氧气和惰性气体的流量比为1：(1～10)；反应离子刻蚀的功率为10～250W。本发明基于干法刻蚀，没有额外采用任何掩模板，在对有机材料进行反应离子刻蚀过程中，通过控制氧气和惰性气体的流量、二者流量的比例关系以及反应离子刻蚀的功率，能够使有机材料表面产生再沉积物，再沉积物能够作为反应离子刻蚀的微掩模
反应离子刻蚀微纳结构有机材料表面惰性气体抗反射氧气制备有机材料再沉积物制备技术领域干法刻蚀刻蚀气体流量比微掩模掩模板

[发明专利]一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺及设备-CN201410348461.8在审
发明人：秦崇德;方结彬;石强;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的反应离子刻蚀工艺，包括：将制绒的硅片放入反应离子刻蚀设备中，反应离子刻蚀设备包括气体系统和电极平板，气体系统用于产生反应气体、刻蚀气体和保护气体；将硅片置于电极平板中，通入反应气体和刻蚀气体对硅片的正面绒面进行刻蚀处理；通入保护气体，保护气体与硅片的侧壁反应形成保护层，硅片于正面绒面的垂直方向的刻蚀速率大于侧璧的刻蚀速率；所述硅片的正面绒面形成微结构；其中，反应气体为O₂，刻蚀气体为SF刻蚀工艺的反应离子刻蚀设备。采用本发明，大幅提高了电池短路电流，增加了电池发电效率。
一种太阳能电池反应离子刻蚀工艺设备

[发明专利]一种背接触电池用干法开槽方法-CN201910355688.8在审
发明人：席珍珍 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种背接触电池用干法开槽方法，它包括如下步骤：1)处理过的硅片进行磷扩散；2)在不需要刻蚀的N+区印刷一层聚合物保护涂层；3)采用深反应离子刻蚀不断钝化刻蚀非保护区，优化参数，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌；4)对硅片进行硼扩散，获得P+区；5)进行刻蚀，去除余下的聚合物保护涂层、磷硅玻璃和硼硅玻璃；6)镀反射钝化层，印刷电极；与现有技术相比，采用MEMS制造的深反应离子刻蚀机进行刻蚀开槽，获得特定侧壁角度和深度的刻蚀形貌
刻蚀开槽聚合物保护涂层深反应离子刻蚀背接触电池刻蚀形貌硅片干法侧壁电池填充因子非保护区晶硅电池磷硅玻璃硼硅玻璃印刷电极优化参数钝化层磷扩散硼扩散衬底钝化减小晶硅反射去除印刷制造

[发明专利]一种半导体器件制作方法-CN201811325919.2有效
发明人：蒋中原;刘自明;王珏斌;车东晨;崔虎山;胡冬冬;陈璐;任慧群;邹志文;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法-CN201910922836.X在审
发明人：谷志强;吴志浩;吴愧;蒋中原;车东晨;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种铌基约瑟夫森结刻蚀方法，属于超导器件制备技术领域。具体方法如下：在真空状态下将待刻蚀样品通过传送装置送至反应离子刻蚀腔，通入刻蚀气体，对待刻蚀样品Nb层进行刻蚀；然后在真空状态下通过传送装置将反应离子刻蚀后的样品送入离子束刻蚀机，通入惰性气体，刻蚀AlO
刻蚀超导器件反应离子刻蚀传送装置刻蚀样品真空状态离子束刻蚀机制备技术领域约瑟夫森结惰性气体金属沉积刻蚀气体有机物产能良率铌基送入

[发明专利]超大面积扫描式反应离子刻蚀机及刻蚀方法-CN201811610204.1有效
发明人：罗先刚;赵泽宇;王彦钦;高平;马晓亮;蒲明博;李雄;郭迎辉 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于干法刻蚀技术领域。本发明公开了一种超大面积扫描式反应离子刻蚀机和刻蚀方法。该超大面积扫描式反应离子刻蚀机包括：进样室、刻蚀反应室、过渡室、刻蚀离子产生室。本发明通过沿扫描方向移动样品架在进样室、刻蚀反应室、过渡室之间运动，对放置于样品架上的样品进行扫描刻蚀，可以实现大面积、均匀及高效的刻蚀。
超大面积扫描反应离子刻蚀方法

[发明专利]一种大口径薄膜衍射透镜微结构刻蚀传递方法及工装-CN201910018410.1有效
发明人：李志炜;邵俊铭;巩畅畅;蒋青峰;高国涵;汪利华;石恒;雷柏平;边疆;范斌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G02B27/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种大口径薄膜衍射透镜微结构刻蚀传递方法及工装，解决了大口径带框薄膜透镜无法通过反应离子刻蚀将光刻胶微结构均匀地传递到薄膜基底上的问题。本发明提供的大口径薄膜衍射透镜微结构传递方法，在传统单频容性耦合大口径反应离子刻蚀设备中即可实现全片高均匀性微结构刻蚀传递，满足大口径薄膜衍射透镜成像衍射效率均匀性要求，可以确保在刻蚀前后大口径薄膜衍射透镜波前畸变不因微结构刻蚀传递过程发生大的波动，全口径刻蚀深度均匀性优于±6％，刻蚀工艺条件稳定易控制，重复性好，可适配多种不同型号的薄膜镜框，操作方便，便于推广。
一种口径薄膜衍射透镜微结构刻蚀传递方法工装

[发明专利]多栅器件的形成方法-CN201110182423.6有效
发明人：殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种多栅器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸出的鳍部；依次形成介质层和牺牲层，所述介质层覆盖所述半导体衬底和鳍部，所述牺牲层覆盖所述介质层；对所述牺牲层进行第一反应离子刻蚀，至暴露出所述介质层；对剩余的牺牲层和所述介质层进行第二反应离子刻蚀，完全去除所述牺牲层并去除所述介质层的一部分，所述第二反应离子刻蚀对所述牺牲层的刻蚀速率小于对所述介质层的刻蚀速率；对剩余的介质层进行第三反应离子刻蚀，暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁
器件形成方法

[发明专利]一种标称高度10μm-100μm台阶高度标准样块的制备方法-CN201610578470.5有效
发明人：冯亚南;李锁印;韩志国;吴爱华;赵琳;许晓青;梁法国 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块
一种标称高度 10 100 台阶标准制备方法

[发明专利]一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法-CN202310480173.7在审
发明人：邵婷;孙来喜;吴卫东;叶鑫;黎维华;肖凯博;高松;张晓璐;郑建刚 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法，属于熔石英元件加工技术领域，对熔石英元件的表面进行反应离子刻蚀处理，所述反应离子刻蚀采用的等离子体包括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体，本发明采用纯干法刻蚀对熔石英元件进行表面后处理，在现有反应离子刻蚀技术基础上，通过在原料气中添加一定量的氧气，或是在刻蚀完成之后继续用氧等离子对样品进行一定时间的后处理，抑制F元素与熔石英基体的结合，抑制或修复次生缺陷的生成
一种提升石英元件紫外激光诱导损伤性能刻蚀方法

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